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    UVCLED有哪些背后有哪些操作原理?日益興科技為您解答[日益興]

    2022年08月05日
    900次

    我們都知道UVCLED在市面上是很廣泛的,但是可能對于絕大部分的使用者來說不知道其背后有哪些技術原理,今天日益興小編就來給大家簡單剖析一下吧!

    1.芯片:倒裝芯片是目前UVC芯片的主流,但不一定是最佳結構。垂直芯片也有其獨特的優勢,如更好的電流傳輸、更少的光吸收和更好的散熱。然而,由于氮化鋁是主要材料,需要長波長高能準分子激光將其從藍寶石襯底上剝離,這將對外延材料造成嚴重損壞。因此,目前只有lgit能夠實現垂直結構UVC led的批量生產。如果能找到一種經濟簡單的剝離方法,垂直結構將有機會成為大功率UVC led的主流。

    UVCLED

    2.封裝:主要考慮UVC led的散熱和發光。在材料方面,經過多年的發展,市場上的UVC led基本上都是倒裝芯片,使用高導熱性的氮化鋁基板。

    3.使用壽命:UVC LED工作時間長,會因光衰減而導致老化,尤其是大功率UVC LED,光衰減問題更為嚴重。在測量UVC led的壽命時,僅將燈損壞視為UVC led壽命的終點是不夠的。LED的壽命應由UVC LED的光衰減百分比決定。

    4.發光效率:一般指UVC led的外部量子效率(EQE),是器件內部量子效率和提取效率的乘積。內部效率(IQE)主要與器件本身的特性(如器件材料的能帶、缺陷和雜質)、外延晶片材料和結構有關。

    UVCLED

    設備的提取效率是指在設備內部產生的光子被設備本身吸收、折射和反射后,可以在設備外部測量的數據。因此,影響提取效率的因素包括吸收、散射、器件材料本身的結構以及封裝材料的折射率差。

    內部效率(IQE):主要與器件本身的特性有關,如能帶、缺陷、雜質、外延晶片材料、結構等。

    提取效率:設備內部產生的光子被設備本身吸收、折射和反射后,設備外部的實際可測量光子數;

    外部量子效率(EQE):器件的內部量子效率和提取效率的乘積;

    電光轉換效率(WPE):當最終產品通電時,有多少電能轉換為光能??紤]到輸入功率、EQE和芯片條件,它是評估發光效率的重要指標。

    以上給大家介紹的就是UVCLED背后的操作原理,如果你還有不懂的話,歡迎隨時聯系我們。


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